FJV3111RMTF
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onsemi FJV3111RMTF
| Artikelnummer: | FJV3111RMTF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FJV3111RMTF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FJV3111RMTF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 Serie - Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Leistung - max 200 mW Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250 MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA Grundproduktnummer FJV311 FJV3111RMTF Einzelheiten PDF [English] FJV3111RMTF PDF - EN.pdf -
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